市面上千元级冰点脱毛仪普遍采用32位ARM+DSP双芯片架构,成本高、PCB面积大、固件复杂。本文给出一种“反其道而行之”的思路:仅用一颗辉芒微8位MCU(FT61F14x系列)+ 少量外围器件,即可实现完整、可靠、可量产的冰点脱毛仪方案。整机BOM成本≈传统方案的40%,PCB可做到一张银行卡大小,且已通过3C/CE预扫。
资源刚好:FT61F14x系列内置14 KB Flash、1 KB RAM、12-bit ADC×12路、PWM×8路、OPA×2、CMP×2,足够覆盖光源驱动、TEC控温、安全检测三大任务。
高抗干扰:EFT±4 kV,ESD HBM 8 kV,直接省掉外部TVS。
低功耗:休眠<1 μA,手持设备待机一个月不掉电。
IPL氙灯 → 滤光片 → 皮肤
灯管驱动:PWM推MOS,峰值电流120 A,脉宽3-15 ms可调。
TEC1-12706 + 导热铜头 → NTC温度闭环
MCU内部OPA做差分放大,12-bit ADC 500 ksps采样,PID 200 Hz更新。
单键:短按打光 / 长按2 s切换档位
双色LED环:冰蓝=制冷,琥珀=出光
蜂鸣器:滴一声=单次闪光完成,滴滴=异常
肤色检测:双波长反射式光电传感器,ADC比值算法
皮肤贴合检测:电容式触摸按键,误触不开枪
过温/过流:片内CMP硬件刹车,<10 μs关断MOS
目标温度5 °C,采样周期5 ms。利用MCU自带的32位硬件乘加单元,PID公式简化为:
u = Kp*e + Ki*sum_e + Kd*(e-e_1);
整型化后单周期完成,TEC电流通过8-bit PWM+RC滤波线性化,稳态误差±0.3 °C。
能量∝(电压2×脉宽)。灯管驱动Buck-boost把超级电容抬到300 V,MCU通过PWM占空比调节升压时间,5档对应150-300 V,每档步进30 V。
940 nm/660 nm双路反射光比值R,经验公式:
R>0.7 肤色偏深,降一档能量
0.4≤R≤0.7 正常
R<0.4 肤色偏浅,升一档能量
算法在10 ms内完成,用户无感。
MCU内部EEPROM每闪一次+1,>30万次后提示更换灯管。
MCU:辉芒微MCU
MOS:AON7403×2(灯管+TEC)
运放:已内置,节省1颗LM358
超级电容:2×400 F/2.7 V串联
NTC:10 kΩ±1 % 3950
其他阻容、LED、蜂鸣器共≈30颗器件
开机到5 °C稳定:6.8 s(室温25 °C)
连续打光30 min,TEC温升<2 °C
误触率:<0.1 %
整机静态电流:8 μA(含NTC偏置)
Type-C PD取电:把超级电容换成2节21700,MCU通过CC逻辑芯片申请12 V/3 A。
蓝牙日志:把剩余闪光次数、皮肤等级实时同步到App。
彩屏Mini UI:MCU硬件SPI 30 fps刷屏无压力。
以上就是深圳三佛科技分享的冰点脱毛仪方案。深圳市三佛科技专注单片机应用方案设计与开发,提供8位单片机、32位单片机。