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在当今竞争激烈的电源市场中，如何在保证性能的同时降低成本，是每个工程师都面临的挑战。传统方案如LP3783A虽然可靠，但其复杂的外围电路和高昂的物料成本，已难以满足市场对低成本、高性能电源的需求。FT8783ND1凭借其创新的原边反馈技术和集成的功率管，为5 V/2 A电源设计提供了一种全新的解决方案，不仅大幅简化了电路设计，降低了成本，还轻松满足了六级能效要求，为工程师们带来了新的选择。
| 项目 | FT8783ND1 | LP3783A |
|---|---|---|
| 反馈方式 | 原边PSR，无光耦 | 副边+光耦+TL431 |
| 功率管 | 内置NPN 700 V | 外置MOSFET |
| 待机功耗 | <75 mW@230 V | ≈120 mW |
| 效率 | 84.5 %@5 V/2 A | 82 % |
| 外围元件 | 19颗 | 28颗 |
| 封装 | SOP-7 | SOT23-6+TO-92 |
一句话：省掉光耦、431、次级检流电阻，BOM成本直接下浮12 %，人工插件减少30 %。
| 绕组 | 匝数 | 线径 | 感量 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| Np | 110 T | 0.12 mm | 1.8 mH±5 % | 原边 |
| Ns | 11 T | 0.35 mm×2 | —— | 次级，铜箔亦可 |
| Na | 20 T | 0.12 mm | —— | 辅助，给VDD供电 |
总计19颗，贴片比例>60 %，适合SMT+AI混合线。
| 测试项 | 115 VAC | 230 VAC | 六级限值 |
|---|---|---|---|
| 平均效率 | 84.5 % | 84.4 % | ≥84.0 % |
| 待机功耗 | 68 mW | 72 mW | ≤75 mW |
| 纹波 | 120 mV | 144 mV | ≤200 mV |
| 传导余量 | -8 dB | -7 dB | 0 dB |
| 辐射余量 | -9 dB | -9 dB | 0 dB |
温升——芯片表面98 ℃@45 ℃环温，余量>20 K
FT8783ND1以其卓越的性能和成本优势，为5 V/2 A电源设计树立了新的标杆。它不仅简化了电路设计，降低了物料成本，还通过了严格的EMC测试，满足了六级能效要求。在追求高效、低成本电源设计的今天，FT8783ND1无疑是工程师们的理想选择。深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~