SLD50N06T是美浦森（Msemitek）推出的60V/50A N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺与D-PAK封装，主打“低Rdson、低Qg、高雪崩能量”三大特色。它把导通电阻压到14.9mΩ（@10V）、总栅荷仅48nC，却仍能承受68mJ单脉冲雪崩能量，非常适合DC-DC同步整流、电机H桥、锂电?；?、LED驱动等中压大电流场合，是硬件工程师口袋里的“60V万能开关”。

主要特点速览

封装与热设计

D-PAK（TO-252）尺寸 6.5×9.5mm，脚距2.3mm，背面大面积金属漏极可直接焊在铜皮上散热。
θJC=1.69℃/W，连续50A时壳温升高约85℃；若铜皮≥1in2且打6×0.3mm过孔到内层，θJA可降至≈40℃/W，常温下连续电流能力>35A。

I-V与开关特性

• 10V驱动时RDS(on)仅14.9mΩ，4.5V仍<22mΩ，兼容3.3V逻辑直接推挽
• 转移特性VGS(th)=1.0-2.2V，TTL电平即可开启
• 输出电容Coss=112pF，反向传输Crss=102pF，关断损耗低

图5-图6开关参数：

• td(on)=15ns，tr=105ns，td(off)=60ns，tf=65ns
• Qg=48nC（Qgs=7.7nC，Qgd=11.2nC），驱动损耗<0.6μJ@100kHz

驱动与保护设计

1. 驱动电平
   5V驱动：RDS(on)=18.5mΩ，损耗可接受；10V驱动：14.9mΩ，效率最优。
2. 栅极电荷
   Qg=48nC，驱动电流峰值≈Qg/tr=0.45A，选用1A栅极驱动器即可。
3. 雪崩能量
   EAS=68mJ，电感负载无需外接RC吸收，节省BOM与空间。
4. ESD与dv/dt
   HBM=3kV，dv/dt能力强，适合高频硬开关场合。

与竞品对比

SLD50N06T在Qg与EAS上取得更好平衡，适合中压、大电流、高频应用，且D-PAK封装无铅、卷带，SMT产线友好。

热设计与实测

• RDS(on)温升系数≈1.5@100℃，导通损耗Pc=I2R=202×0.015=6W
• 壳温Tc=25+6×1.69≈35℃，θJA=40℃，芯片结温≈35+6×40=275℃→需散热片或风冷
• 加风冷2m/s，θJA≈20℃，结温155℃以内，可长期20A工作

卷带与订购信息

总结

SLD50N06T用D-PAK封装实现了「60V/50A」级别的中压大电流驱动：

• 14.9mΩ超低导通电阻，10V/4.5V双逻辑兼容
• 48nC总栅荷，开关损耗低，100kHz以上仍游刃有余
• 68mJ雪崩能量，电感负载无需吸收电路
• 1.69℃/W热阻，铜皮+过孔即可35A连续电流
• 卷带无铅，SMT产线零门槛

当电机驱动、DC-DC同步整流、锂电?；ぁED驱动同时追求「大电流、低损耗、小体积」时，SLD50N06T就是硬件工程师口袋里的「60V万能开关」~深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势