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PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能?；すδ埽鹬芷诠鞅；?、过压?；ぁ⒖繁；?、过温保护、输出短路?；ず虲S开/短路保护等。
PN8366SSC-R1M产品特性
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能?；すδ?过温?；?(OTP)
VDD欠压&过压?；?(UVLO&OVP)
逐周期过流?；?(OCP)
CS开/短路?；?(CS O/SP）
开环保护 (OLP)
PN8366SSC-R1M应用领域
开关电源适配器
电池充电器
机顶盒电源.