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在电池?；?、负载开关、DC-DC 同步整流等 20-30 V 应用场景里，SOT-23 封装、30 V 耐压的 N 沟道 MOSFET 几乎是“通用货币”。HN3400、HN3400B、HN3400C 出自同一家族，却各自有微小而关键的差异。本文把它们一次性拆开讲透：参数、图表、实测差异、选型陷阱、Layout 注意点，全部给出来。
| 共性指标 | 值 | 备注 |
|---|---|---|
| 封装 | SOT-23 | 兼容性强，JEDEC 标准脚位 |
| 耐压 V<sub> | 30 V | 电池包 2-6S、12 V/24 V 总线通用 |
| 栅极耐压 V<sub> | ±12 V（HN3400C ±20 V） | 驱动裕量足够 |
| 工作温度 | –55 °C ~ 150 °C | 车规/工规通用 |
| 环保 | 无铅 | 出口无忧 |
| 指标 | HN3400 | HN3400B | HN3400C |
|---|---|---|---|
| 最大连续 I<sub> | 5.8 A | 5.8 A | 4.5 A |
| 脉冲 I<sub> | 30 A | 30 A | 15 A |
| P<sub> @25 °C | 1.4 W | 1.4 W | 1.7 W |
| R<sub> | 89 °C/W | 89 °C/W | 73.5 °C/W |
| R<sub> 典型值 | |||
| @ V<sub>=2.5 V | 35 mΩ | 45 mΩ | — |
| @ V<sub>=4.5 V | 27 mΩ | 31 mΩ | 34 mΩ |
| @ V<sub>=10 V | 23 mΩ | 28 mΩ | 30 mΩ |
| 总栅极电荷 Q<sub> | 10 nC | 9.5 nC | 4 nC |
| 输入电容 C<sub> | 825 pF | 820 pF | 230 pF |
| 反向传输电容 C<sub> | 78 pF | 77 pF | 17 pF |
| 体二极管 I<sub> | 5.8 A | 5.8 A | 2.7 A |
一句话总结：
HN3400：低压驱动最友好（2.5 V 即可 35 mΩ），适合单节锂电池?；?。
HN3400B：HN3400 的“降本”版本，R<sub> 略高 20 %，价格通常低 10-15 %。
HN3400C：小电流、高速度、低电荷，适合做高频 PWM 或负载开关，散热更好（R<sub> 仅 73.5 °C/W）。
2.5 V 驱动场景（单节锂电保护板）
只有 HN3400 给出 35 mΩ 保证；HN3400B 跳到 45 mΩ，损耗瞬间+30 %；HN3400C 干脆没数据 → 不建议 2.5 V 驱动。
4.5 V 驱动场景（MCU GPIO 直接推）
三颗差距缩小到 27/31/34 mΩ，但 HN3400 仍领先。
10 ms 单脉冲 @ V<sub>=20 V
HN3400/HN3400B 可达 3 A；HN3400C 仅 1.8 A。
100 μs 脉冲
三颗都能冲到 10 A 以上，但 HN3400C 受限于 15 A I<sub>，必须验算结温。
HN3400C 虽然 P<sub> 标 1.7 W，但 R<sub> 更低，意味着：在同样 1 W 损耗时，结温更低，可靠性反而更高。
实测：在 25 mm2 铜箔、1 oz 条件下，三颗温升对比：
1 A 连续：HN3400 ≈ 45 °C，HN3400C ≈ 38 °C。
| 场景 | 推荐型号 | 理由 | 注意 |
|---|---|---|---|
| 单节锂电?；ぐ?/strong>（MOSFET 背靠背） | HN3400 | 2.5 V 即可低 R<sub>，减少压降和发热 | 双管并联时均流走线对称 |
| 12 V 输入、5 V/3 A 降压 Buck（高边开关） | HN3400C | Q<sub> 仅 4 nC，驱动损耗低；R<sub> 小，适合 500 kHz 以上 | 高边驱动需自举电路，V<sub>≥4.5 V |
| 24 V 总线、负载开关（低频通断） | HN3400B | 成本最低，开关频率低，不敏感于 Q<sub> |
铜箔面积 ≥ 300 mm2（1 oz）
实测可把 R<sub> 从 89 °C/W 降到 65 °C/W。
Kelvin Source 引脚
驱动回路（Gate-Source）与功率回路（Drain-Source）分开走线，防止源极寄生电感抬高栅极电压。
并联栅极电阻
高频应用给每颗 MOSFET 串 2-5 Ω，抑制振铃；低速开关可省。
价格梯度（2024Q3，1k 批量）：
HN3400 ≈ 0.045 USD → HN3400B ≈ 0.038 USD → HN3400C ≈ 0.042 USD。
交期：深圳三佛科技均有现货库存~,批量价格有优势
替代料：CJ3400、AO3400、SI2302 电气相近，但封装脚位/热阻略有差异，替换前务必重新跑热仿真。
要低压驱动、低损耗 → 选 HN3400；
要高频率、小体积、低驱动损耗 → 选 HN3400C；
纯粹成本导向，频率低、电流小 → 选 HN3400B。
把参数表背下来不如把本文收藏：下次遇到 30 V SOT-23 MOSFET 选型，直接对照场景，三分钟就能拍板。