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KP2203LGA宽电压输出PWM驱动控制器芯片主要特点及电路原理图介绍
类别:产品新闻 发布时间:2025-10-21 11:26:44 浏览人数:14889

做工业电源、电池充电器、LED 驱动或车载 DC-DC 的工程师,常被“输入 90~305 VAC,输出却要在 18-60 V 之间自由拉”折磨:

    传统方案 = 前级 PFC + 后级 LLC + 二次降压,BOM 爆炸;
    国产替代 = 性能打折,外置驱动、外置补偿,调参调到秃头。

深圳三佛科技推出的 必易微KP2203LGA,把“高压启动、VCC 稳压、谷底开通、频率折返、抖频 EMI”全部塞进 SOP-8 5×4 mm 封装,18-60 V 直驱 MOSFET,最高 120 W 单芯片解决。看完下面拆解,你会意识到:宽电压输出,可以不再“堆料”。

关键亮点 60 秒速览


特性数据同行对比
输出电压范围18-60 V 任意调多数国产 IC 仅 12-24 V
输入电压90-305 VAC / 127-430 VDC省掉前级 PFC 也能全球通用
直驱能力内置 600 V 半桥驱动,±1 A 源/灌无需外推图腾柱
工作频率22-120 kHz 可调,谷底锁定QR+FFM 双模式,效率 93%+
待机功耗<75 mW @230 VAC轻松过 CoC V5 Tier 2
保护全家桶OVP/OCP/OTP/OLP/BNO锁存/自恢复可选
封装SOP-8L 5×4 mm比反激主控还小一圈


典型应用电路



元件极简实例


  • 变压器:EE22,Lp 450 μH,匝比 4:1:1
  • 母线电容:100 μF/400 V 一颗
  • 输出电容:68 μF/63 V 陶瓷 + 470 μF/63 V 电解并联,纹波 <120 mV
  • 效率曲线:230 VAC 输入,48 V/2 A 输出,效率 93.8%,芯片温升 38 K(无散热片)


内部框图拆解:为什么能“一颗顶三颗”


    高压启动 & 自供电


    片内 600 V depletion MOSFET,上电 200 ms 建立 VCC≈15 V,之后靠辅助绕组自给,启动电阻功耗 <15 mW,待机轻松 75 mW 以下。

    谷底锁定 QR 控制器


    检测半桥开关节点 dv/dt,自动寻找谷底 (valley) 开通,降低 EMI 6-8 dB;轻载频率折返到 22 kHz,远离音频噪声。

    频率抖动 + 软驱动


    ±6 % 中心抖动,传导 EMI 余量 >6 dB,省一级共模;门极驱动斜率 30 V/μs 可调,平衡效率与辐射。

    双环路 OVP / OCP


    原边峰值电流 + 副边电压双采样,输出短路 200 ms 进入打嗝,打嗝功耗 <0.5 W,适配器外壳不烫手。

    Brown-out & 过温锁存


    母线低于 80 VAC 自动停机,高于 90 VAC 再启动;芯片温度 150 ℃ 锁死,降到 120 ℃ 自恢复,适合车载 24 V 剧烈冷启动。


实测波形


  • Valley Switching:半桥 Vds 在谷底开通,dv/dt 仅 2.3 V/ns,EMI 摸底通过 CISPR32 Class B 余量 8 dBμV。
  • 动态负载 0→100 %:48 V/2.5 A 阶跃,电压跌落 320 mV,恢复时间 280 μs,远优于充电器 1 V-1 ms 行标。
  • 短路打嗝:打嗝周期 1.2 s,平均输入功率 0.42 W,适配器塑料壳温升 <15 K,安规认证无压力。


常见设计坑 & 官方锦囊


坑点现象KP2203LGA 解法
输出空载啸叫轻载进入音频频率折返 22 kHz + 谷底锁定,避开 20-20 kHz
60 V 输出 OVP 误触发分压电阻温漂内部 1.25 V 基准温漂 50 ppm/℃,±2 % 精度
高压启动电阻发热待机 200 mW片内 Depletion MOS,启动后自关断,电阻功耗 <15 mW
SR 同步整流兼容性国产 SR 芯片不识别DRV 脚输出 10 V/0.5 A,兼容 MP6902、SP6502、TEA1995


总结:一句话记住 KP2203LGA


“90-305 VAC 进,18-60 V/120 W 出,一颗 SOP-8 搞定 PFC+QR+驱动+保护,EMI 余量 8 dB,待机 75 mW,国产价只要洋品牌一半。深圳三佛科技提供技术支持,批量价格有优势~

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