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FT8370A/B/C/CD/CP高性能次边同步整流芯片典型电路及管脚定义
类别:产品新闻 发布时间:2025-10-30 11:12:32 浏览人数:14326

FT8370x 是 辉芒微(FMD)推出的次边同步整流驱动器家族,专为 DCM/QR 模式反激转换器设计。系列成员包括:


  • FT8370A(SOP-8)
  • FT8370B(SOP-8)
  • FT8370C(SOP-8)
  • FT8370CD(DIP-8)
  • FT8370CP(PSOP-8,带散热焊盘)



共同特点:


  • 内置 同步整流 MOSFET
  • 栅电荷小、导通电阻低、开关速度快
  • 极少外围元件(无需自举电容、肖特基二极管)
  • 输出欠压快速检测,可配合原边 FT8393x 实现 超快动态响应


典型应用:反激次边“极简”示范


工作逻辑:


  1. 次级电流正向流动时,内部MOS同步整流,替代肖特基,效率提升3~5%
  2. VDET实时监测输出电压,低于设定值时发送“缺电脉冲”至原边
  3. 原边FT8393x收到脉冲后立即提升开关频率/占空比,动态响应<100μs
实测:12V/2A输出,效率从87.1%→91.4%,输出纹波下降40%



管脚定义:一张表看懂所有型号


管脚功能FT8370A/B/C/CDFT8370CP描述
1 DR1 DR同步整流MOS驱动输出(接外部MOS栅极,芯片已内置MOS时悬空
2 VDET2 VDET双功能
① 内部MOS漏源电压检测
② 输出欠压信号输出(开漏,低有效)
3 NC3 NC未连接,可接地或悬空
4 VCC4 VCC芯片供电(推荐4.7μF陶瓷到GND)
5,6,7,8 GND6,7,8 GND同步整流MOS源极,功率地
7,8 Drain5 + Exposed PAD内置MOS漏极,底部散热片即Drain,Layout时需让次边电流“先流经GND脚,再进入Drain”
关键提示:底部散热片(Exposed PAD)= Drain,不能接地! 必须作为功率节点处理,铺铜面积≥20mm2,打3×3过孔到内层,兼顾散热与电流。

封装差异:如何选对型号?


型号封装散热路径持续电流建议特点
FT8370A/B/CSOP-8通过Drain脚散热2A通用型,成本低
FT8370CDDIP-8通过Drain脚+引脚散热2.5A插件,维修方便
FT8370CPPSOP-8底部Drain焊盘散热3A+大电流,散热最佳
选型口诀
2A以下选SOP,3A以上选CP;插件波峰选CD,两层板过EMI选CP。



PCB Layout 4 条铁律


  1. 电流路径先GND后Drain
    次边电流必须先流经GND(5,6,7,8)脚,再进入Drain散热片,否则芯片误动作。
  2. VDET走线短而远离高压
    VDET既做检测又做信号输出,长度<10mm,远离SW与Drain铜皮,防止dV/dt误触发。
  3. VCC去耦电容贴近4脚
    4.7μF X7R陶瓷,距离VCC<2mm,GND回路独立,不与功率地共用回流。
  4. 底部散热片=Drain节点
    铺铜≥20mm2,3×3过孔到内层,不要接地! 不要接地! 不要接地!


实测数据:FT8370CP @12V/3A


项目数值
输入电压24V DC
输出电压12V
输出电流3A
效率91.8%(原边FT8393x)
输出纹波60mV
动态响应 0→3A±120mV,恢复时间<80μs
芯片表面温升18℃(TA=25℃,无风)
效率提升:同条件肖特基方案仅87.2%,同步整流净增4.6%,整机温降8℃。


常见问题速答


Q1. 可以单独使用FT8370x吗?

可以,芯片自带MOS,无需外接肖特基,但需原边控制在DCM/QR模式。


Q2. VDET怎么接到原边?

→ VDET为开漏输出,通过光耦或电容耦合把“欠电脉冲”送至原边FB或EN脚,详细电路参考FMD官方参考设计。


Q3. 底部散热片能接地吗?
绝对不能! 它是Drain高压节点,接地即短路,Layout前务必看封装图。


总结:让反激次边“零外设”


FT8370x系列用一颗芯片+一颗电容就把同步整流+欠压告警+散热通道全部搞定,省掉肖特基、省掉自举、省掉检流电阻,效率提升4~6%,BOM减少3颗器件。深圳三佛科技为辉芒微一级代理,提供技术,批量价格有优势~

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